PSMN071-100NSEX

Name: Nexperia PSMN071-100NSEX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN071-100NSEX
Price: 7.76 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

771-PSMN071-100NSEX

制造商编号：

PSMN071-100NSEX

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20

数据表:

PSMN071-100NSEX 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Nexperia PSMN071-100NSEX详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-2020M-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	9.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	82.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	6.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	31 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	4.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.6 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	5 ns
典型接通延迟时间:	3.8 ns
零件号别名:	934663731115

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

筛选文档:

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PSMN071-100NSE N沟道ASFET

Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET设计用于继电器替代、浪涌管理和电池管理应用。该ASFET包括增强型安全工作区(SOA)，可实现出色的线性模式运行。PSMN071-100NSE N沟道ASFET具有低漏源导通电阻，可实现低I²R导通损耗。该ASFET具有100V最大漏源电压、9.8A最大漏极电流、31W最大总功耗以及175°C最高结温。PSMN071-100NSE N沟道ASFET配有增强型SOA，采用紧凑型2mm x 2mm DFN2020封装。除上述特性外，其他值得注意的应用还包括IEEE802.3at和专有PoE解决方案、WIFI^® 热点、5G微微蜂窝和CCTV。