23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAMs

Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是随机存取存储器器件，可通过兼容串行外设接口 (SPI) 的串行总线访问。SRAM具有4096K位低功耗和单电压读写操作。23AA04M和23LCV04M支持串行双接口 (SDI) 和串行四路接口 (SQI)，可实现更快的数据速率和143MHz高速时钟频率。SRAM具有内置纠错码 (ECC)逻辑，可确保高可靠性。Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位组织，具有用于读取和写入的字节、页面和顺序模式。SRAM具有无限读取/写入周期和外部电池备份支持。这些器件不含卤素，符合RoHS指令。

结果: 6
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Microchip Technology 静态随机存取存储器 4Mbit serial 静态随机存取存储器, 1.7V-3.6V
数据表
479库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 4Mbit serial 静态随机存取存储器, 1.7V-3.6V
数据表
134库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 4Mbit serial 静态随机存取存储器, 2.2V-3.6V with Battery Backup
数据表
416库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-14 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 4Mbit serial 静态随机存取存储器, 2.2V-3.6V with Battery Backup
数据表
477库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-14 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 4Mbit serial 静态随机存取存储器, 1.7V-3.6V
数据表
513库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 4Mbit serial 静态随机存取存储器, 2.2V-3.6V with Battery Backup
数据表
223库存量
最低： 1
倍数： 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-14 Tube