SISS7xDN TrenchFET MOSFET

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFET是采用ThunderFET技术的TrenchFET^® MOSFET，实现了R_DS、Q_G、Q_SW和Q_OSS的完美平衡。这些MOSFET通过了100%的Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试。SISS7xDN TrenchFET MOSFET适用于一次侧开关、同步整流、直流/直流转换器、电机驱动控制及负载开关等应用。这些MOSFET采用PowerPAK 1212-8S封装。