TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

结果: 335
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.65 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 50 nC - 55 C + 175 C 27.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 5.6 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 29.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
数据表
无库存
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 33 A 6 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 14.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.3 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 97.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH N-Channel 1 Channel 20 V 21.1 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 1.52 mOhms - 12 V, 16 V 1 V 75 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
数据表

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 81.2 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement
Vishay MOSFET PPAK1212 N-CH 80V 17.4A
数据表

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 80 V 63 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
数据表

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 51 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.2 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement