D2系列N通道耗尽型功率MOSFET

IXYS D2系列100V - 1700V N通道耗尽型功率MOSFET是以“常开”模式运行的耗尽型器件,栅极端子需要零导通电压。该系列具有高达1700V的阻断电压和低漏极-源极电阻,以便在连续“导通”(例如紧急或防盗报警)的系统中简化控制并降低功耗。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA 274库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 1A N-CH DEPL 267库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA 574库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A 261库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A 347库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A 503库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
300预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
425预期 2026/4/15
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A 无库存交货期 76 周
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms Tube