SISH892BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISH892BDN-T1-GE3
SISH892BDN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥10.509 ¥10.51
¥6.6218 ¥66.22
¥4.3731 ¥437.31
¥3.4126 ¥1,706.30
¥3.0962 ¥3,096.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.6894 ¥8,068.20
¥2.486 ¥14,916.00
¥2.4747 ¥22,272.30
¥2.4521 ¥58,850.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
100 V
20 A
30.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 33 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: SISH
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: TrenchFET Gen IV Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

SISH892BDN N沟道100V MOSFET

Vishay/Siliconix SISH892BDN N沟道100V MOSFET是一款TrenchFET® Gen IV功率MOSFET，100%通过Rg和UIS测试。SISH892BDN MOSFET具有100V VDS、20A ID和8nC Qg。Vishay/Siliconix SISH892BDN MOSFET采用PowerPAK® 1212-8SH封装，工作结温和储存温度范围为-55°C至+150°C。

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