NVMFWS003N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS003N10MCT1G
NVMFWS003N10MCT1G

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V STD SO8FL HE

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
100 V
169 A
3.1 mOhms
20 V
4 V
62 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 150 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: NVMFWS003N10MC
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFWS003N10MC单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFWS003N10MC单N沟道功率MOSFET具有169A连续漏极电流、10V时RDS(ON) 为3.1mΩ，以及100V漏极－源极电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

供货情况

库存：
0

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在途量:
1,500
预期 2027/7/9
生产周期：
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥42.1829 ¥42.18
¥27.6285 ¥276.29
¥20.5999 ¥2,059.99
¥17.289 ¥8,644.50
¥15.9669 ¥15,966.90
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥15.9669 ¥23,950.35

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