NXH0x0F120MNF1碳化硅MOSFET

onsemi STR-ECS640A-GEVK评估套件用于评估ecoSpin电机控制器ECS640A及其主要特性。这些MOSFET具有热敏电阻和压配引脚。 NXH0x0F120MNF1模块采用预涂热界面材料（TIM），无需预涂TIM选项。这些混合模块非常适合用于太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站以及工业电源等应用。NXH0x0F120MNF1模块无铅、无卤，符合RoHS指令。这些模块的储存温度范围为-40°C至150°C，工作结温范围为-40°C至175°C。 

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET模块 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET模块 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
数据表
更多信息可用
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET
数据表
更多信息可用
SiC NXH040F120MNF1 Tray