IX4351NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器
IXYS Integrated Circuits IX4351NE低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器具有独立的9A源端和接收端输出,可实现定制的导通和关断时序,同时最大限度地降低开关损耗。IX4351NE设有内部负电荷稳压器,可提供可选的负栅极驱动偏置,以提高dV/dt抗扰度并实现更快关断。
IXYS Integrated Circuits IX4351NE低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器具有独立的9A源端和接收端输出,可实现定制的导通和关断时序,同时最大限度地降低开关损耗。IX4351NE设有内部负电荷稳压器,可提供可选的负栅极驱动偏置,以提高dV/dt抗扰度并实现更快关断。