结果: 36
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
数据表
607库存量
1,000预期 2026/10/23
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
数据表
593库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
数据表
600库存量
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
数据表
263库存量
600预期 2026/7/10
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
数据表
2库存量
600预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
数据表
1,696在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 79 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 600
倍数： 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 19 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 350 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube