HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
1,138库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
数据表
1,497库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
1,324库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
数据表
3,498库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
数据表
1,593库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
数据表
8,813库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET
数据表
1,138库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
数据表
94库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
300库存量
4,320在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
数据表
886库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
275库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9 mOhms 20 V 4.5 V 253 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
318库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 80A
数据表
188库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
数据表
499库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
数据表
1,303库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET
数据表
293库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
476库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms 30 V 5 V 38 nC 500 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
数据表
660库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
数据表
239库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds
数据表
244库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 36A
数据表
625库存量
480预期 2026/11/30
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
数据表
284库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
495库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
149库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube