HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 719
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
数据表
8,843库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET
数据表
1,148库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
数据表
3,503库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
1,539库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 230A 200V
数据表
815库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
604库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
292库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 110 A 56 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
261库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 30A
数据表
1,710库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
数据表
1,172库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 75 V 520 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 545 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 64A
数据表
370库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
数据表
626库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
数据表
964库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
数据表
663库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
数据表
170库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
数据表
298库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
数据表
825库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
361库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
数据表
766库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A
数据表
192库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
数据表
366库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
数据表
131库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
186库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET
数据表
124库存量
300预期 2026/11/23
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube