HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 720
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
数据表
95库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
数据表
235库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 50 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 78 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench POWER MOSFET 200v, 60A
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
数据表
220库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 76 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds
数据表
123库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
数据表
87库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
数据表
224库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
数据表
274库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds
数据表
1,006库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 85 V 44 A 22 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
数据表
238库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 N-CH 55V 90A
数据表
191库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 200V 220A N-CH X3CLASS
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 204 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 90A N-CH X3CLASS
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
数据表
1,750预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
2,088预期 2026/3/25
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
数据表
2,120预期 2026/5/1
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
数据表
617预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
292预期 2026/11/9
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 110 A 56 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
数据表
2,948预期 2026/4/10
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 26A
数据表
600预期 2026/6/30
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube