HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 60V/220A TrenchT3
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230 Amps 75V
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230Amps 100V
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 100 V 230 A 4.7 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 30A N-CH XCLASS
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 40A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
数据表
无库存交货期 30 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 46A N-CH TRENCH
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 30

Si HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si AEC-Q101 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
数据表
交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
数据表
无库存交货期 30 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 150V 76A N-CH TRENCH
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube