HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
无库存交货期 41 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC 1.04 mW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 41 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 41 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 60 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 9 A 1.04 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET 无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 10.5 A 660 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 630 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 570 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 156 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 900 V 13 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 58 nC - 55 C + 150 C 230 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 197 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 30A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 23 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 36A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement HiPerFET Tube