HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 600V 20A
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 21 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 24A
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 34 A 154 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 310 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A
数据表
无库存交货期 44 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 25 A 154 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id26 BVdass800
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 25 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 48A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 154 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET HiPerFET Power MOSFET
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 64A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/45A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id36 BVdass600
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 200 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 104 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 568 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 600 V 48 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 200V 140A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 42 周
最低： 300
倍数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 127 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 800 V 14 A 720 mOhms 400 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 170V 150A N-CH TRENCH
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 175 V 150 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 233 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 200 V 150 A 15 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET Discretes
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 400
倍数： 400
: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC 690 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 600 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 200V 180A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 42 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 90 nC + 150 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 540 W HiPerFET Tube