HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 160A 300V
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 170A 200V
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 11 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 390 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
数据表
无库存交货期 54 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 32 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 44A
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 185 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 48A
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 145 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 1.1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
交货期 30 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 98 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 600 V 4 A 2.2 Ohms HiPerFET Tube