HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
3,017库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
数据表
737库存量
150预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
数据表
628库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
166库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
1,629库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
数据表
1,929库存量
1,140预期 2026/11/16
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
数据表
1,730库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
数据表
134库存量
300预期 2026/10/21
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
数据表
1,153库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
数据表
2,813库存量
180预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.5 mOhms - 55 C + 175 C 550 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
数据表
1,533库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
443库存量
300预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
数据表
2,764库存量
1,600预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
数据表
717库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 38 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
数据表
1,530库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 4 Amps 1000V
数据表
788库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
297库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
510库存量
50预期 2026/6/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 268 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 264 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds
数据表
126库存量
300预期 2026/11/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 60 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
数据表
289库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 1000V
数据表
305库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 253 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 1
数据表
158库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
数据表
822库存量
420预期 2027/4/12
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube