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|
编码器 20mm Kits 42b MT 5V 4mm SPI 4W
- AS20-M42M-P11
- Broadcom / Avago
-
1:
¥871.2526
-
117库存量
|
Mouser 零件编号
630-AS20-M42M-P11
|
Broadcom / Avago
|
编码器 20mm Kits 42b MT 5V 4mm SPI 4W
|
|
117库存量
|
|
|
¥871.2526
|
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¥747.6645
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¥699.696
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¥640.6309
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查看
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¥611.7707
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¥578.1871
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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二极管模块 4500 V, 450 A Diode IGBT module
- DD450S45T3E4B5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥9,694.8915
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
726-DD450S45T3E4B5B
|
Infineon Technologies
|
二极管模块 4500 V, 450 A Diode IGBT module
|
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2库存量
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|
最低： 1
倍数： 1
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|
IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
- FF1800XTR17T2P5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥9,889.3645
-
11库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF1800XTR17T2P5B
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
|
|
11库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 1200 V, 2400 A dual IGBT module
- FF2400R12IP7BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥6,063.4105
-
6库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF2400R12IP7BPSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1200 V, 2400 A dual IGBT module
|
|
6库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
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|
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|
|
IGBT 模块 1700 V, 300 A dual IGBT module
- FF300R17ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,207.9813
-
34库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF300R17ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1700 V, 300 A dual IGBT module
|
|
34库存量
|
|
|
¥1,207.9813
|
|
|
¥1,160.171
|
|
最低： 1
倍数： 1
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|
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|
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF3MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,391.1591
-
17库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF3MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
17库存量
|
|
|
¥2,391.1591
|
|
|
¥2,121.0891
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,561.3823
-
26库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF3MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
26库存量
|
|
|
¥2,561.3823
|
|
|
¥2,195.1945
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 1700 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R17ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,396.9851
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF450R17ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1700 V, 450 A dual IGBT module
|
|
9库存量
|
|
|
¥1,396.9851
|
|
|
¥1,376.7242
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 4500 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R45T3E4B5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥13,949.5562
-
8库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF450R45T3E4B5B
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 4500 V, 450 A dual IGBT module
|
|
8库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 1700 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R17ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,720.99
-
10库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF600R17ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1700 V, 600 A dual IGBT module
|
|
10库存量
|
|
|
¥1,720.99
|
|
|
¥1,717.1028
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
- FF6MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,421.8903
-
15库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF6MR12W2M1HB70B
|
Infineon Technologies
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
|
|
15库存量
|
|
|
¥1,421.8903
|
|
|
¥1,405.5053
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module
- FF800R12KE7PEHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,083.2002
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF800R12KE7PEHPS
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module
|
|
30库存量
|
|
|
¥2,083.2002
|
|
|
¥1,642.8279
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module
- FF800R12KE7PHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,083.2002
-
28库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF800R12KE7PHPSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module
|
|
28库存量
|
|
|
¥2,083.2002
|
|
|
¥1,642.8279
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 1700 V, 900 A dual IGBT module
- FF900R17ME7WB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,103.8001
-
11库存量
|
Mouser 零件编号
726-FF900R17ME7WB11B
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1700 V, 900 A dual IGBT module
|
|
11库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥765.3716
-
22库存量
|
Mouser 零件编号
726-FS33MR12W1M1HB70
|
Infineon Technologies
|
MOSFET模块 CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
|
|
22库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 IHV IHM T
- FZ1000R65KE4NPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥19,943.9011
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
726-FZ1000R65KE4NPSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 IHV IHM T
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 IHV IHM T
- FZ1200R45HL4BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥14,548.4223
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
726-FZ1200R45HL4BPSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 IHV IHM T
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 IHV IHM T
- FZ1200R45HL4S7BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥15,670.7157
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
726-FZ1200R45HL4S7BP
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 IHV IHM T
|
|
2库存量
|
|
|
¥15,670.7157
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300D12P4G101
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥5,312.1865
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
755-BSM300D12P4G101
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4库存量
|
|
|
¥5,312.1865
|
|
|
¥4,505.6264
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM450D12P4G102
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥6,422.0725
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
755-BSM450D12P4G102
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4库存量
|
|
|
¥6,422.0725
|
|
|
¥5,610.7099
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET模块 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM600D12P4G103
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥10,015.1674
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
755-BSM600D12P4G103
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4库存量
|
|
|
¥10,015.1674
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT
- VS-GT150TS065S
- Vishay Semiconductors
-
1:
¥837.0023
-
25库存量
|
Mouser 零件编号
78-VS-GT150TS065S
|
Vishay Semiconductors
|
IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT
|
|
25库存量
|
|
|
¥837.0023
|
|
|
¥749.9019
|
|
|
¥647.3318
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅肖特基二极管 SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 120 A
- VS-SC120FA120
- Vishay
-
1:
¥521.2803
-
69库存量
|
Mouser 零件编号
78-VS-SC120FA120
|
Vishay
|
碳化硅肖特基二极管 SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 120 A
|
|
69库存量
|
|
|
¥521.2803
|
|
|
¥320.4454
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅肖特基二极管 SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 120 A
- VS-SC120FA65
- Vishay
-
1:
¥434.1799
-
133库存量
|
Mouser 零件编号
78-VS-SC120FA65
|
Vishay
|
碳化硅肖特基二极管 SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 120 A
|
|
133库存量
|
|
|
¥434.1799
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅肖特基二极管 SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 160 A
- VS-SC160FA120
- Vishay
-
1:
¥652.462
-
132库存量
|
Mouser 零件编号
78-VS-SC160FA120
|
Vishay
|
碳化硅肖特基二极管 SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 160 A
|
|
132库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
