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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Wolfspeed MOSFET模块 SiC, Module, 760A, 1200V, 62mm, HM3, Half-Bridge, Industrial 18库存量
最低: 1
倍数: 1

Wolfspeed 分立半导体模块 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module 22库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 877库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W 30库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt 72库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2,534库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 170库存量
360在途量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 87库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
20库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 529库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 311库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt 79库存量
最低: 1
倍数: 1

Wolfspeed 分立半导体模块 SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A 112库存量
98预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1
Infineon Technologies FF200R12KS4
Infineon Technologies IGBT 模块 1200V 200A DUAL 170库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies FF200R12KT4
Infineon Technologies IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A 835库存量
300在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies FF400R06KE3
Infineon Technologies IGBT 模块 600V 400A DUAL 374库存量
最低: 1
倍数: 1

SemiQ MOSFET模块 1200V SiC COPACK Power Module 31库存量
最低: 1
倍数: 1

SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module 24库存量
最低: 1
倍数: 1
: 40

SemiQ MOSFET模块 1200V SiC MOSFET Power Module 36库存量
最低: 1
倍数: 1

HARTING 重负荷电源连接器 Han S Screw Mount Housing black M20 w/ male contact M8 - w/ unlocking protection 100库存量
最低: 1
倍数: 1

HARTING 重负荷电源连接器 Han S Screw Mount Housing red M20 w/ male contact M8 - w/ unlocking protection 100库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A common emitter IGBT module 5库存量
10预期 2027/3/4
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies IGBT 模块 1200V 450A 3-PHASE 47库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS MOSFET模块 500V 48A 1,350库存量
1,470预期 2026/11/11
最低: 1
倍数: 1

onsemi 分立半导体模块 1200V/15ASICFULL-BRIDGE 24库存量
最低: 1
倍数: 1