在下面选择类别,以查看过滤选项并缩小您的搜索。
排序:
按结果计数排列的类别。
结果: 524
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Microchip Technology MMA042AA
Microchip Technology 射频放大器 2-26 GHz GaAs MMIC Distributed Self Biased LNA 100库存量
最低: 50
倍数: 50
Qorvo QPA2735D
Qorvo 射频无线杂项 13.75-18 GHz LNA Die 50库存量
最低: 50
倍数: 50

Skyworks Solutions, Inc. ATN3590-02
Skyworks Solutions, Inc. 衰减器 Attn=2dB -55C +150C RL=16dB @ 40GHz 800库存量
最低: 100
倍数: 100

MACOM MA4E1319-1
MACOM 肖特基二极管与整流器 Diode,Schottky,GaAs,FlipChip,ReverseTee 400库存量
最低: 100
倍数: 100
MACOM MA4PK3000-1252
MACOM PIN 二极管 Diode,Pin,chip,Ceramic,Si,Ods-1252 75库存量
100预期 2026/10/21
最低: 25
倍数: 25

MACOM MA4SW410
MACOM RF 开关 IC 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz 200库存量
最低: 50
倍数: 50

MACOM MA4SW410B-1
MACOM RF 开关 IC 2-18GHz ISO 35dB IL 1.4dB @ 18GHz 100库存量
最低: 25
倍数: 25

MACOM MAAM-011305-DIE
MACOM 射频放大器 Amplifier, 0.03-8 GHz, Bare Die 50库存量
最低: 50
倍数: 50

Microchip Technology 射频放大器 DC-26 GHz GaAs 2库存量
最低: 1
倍数: 1

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 20库存量
最低: 1
倍数: 1

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 10库存量
最低: 1
倍数: 1

Qorvo CMD177
Qorvo 射频混频器 6 - 14 GHz Double Balanced Mixer 5库存量
最低: 5
倍数: 5

Micron NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP 114库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,000

Qorvo CMD241
Qorvo 射频放大器 2-22 GHz Distributed Amplifier 2库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM MASW-004100-11930W
MACOM RF 开关 IC 50-26000MHz -65C +125C Iso 65dB 50库存量
最低: 50
倍数: 50

Microchip Technology 射频放大器 MMIC, .5-12Ghz LNA 8库存量
最低: 1
倍数: 1


MACOM RF 开关 IC .05-20GHz SPST HMIC IL 1.2 Max.
3,550在途量
最低: 50
倍数: 50

Texas Instruments 跨阻抗放大器 DIE SALE
270预期 2026/8/13
最低: 135
倍数: 135


Qorvo 射频放大器 Custom 6-18GHz FEM
90预期 2026/6/11
最低: 5
倍数: 5

Qorvo 射频放大器 7-14GHz LNA DIE
50预期 2026/8/3
最低: 50
倍数: 50

Qorvo CMD240
Qorvo 射频放大器 DC - 22 GHz Distributed Amplifier
20预期 2026/9/15
最低: 5
倍数: 5

MACOM MA4E931Z2-1261A
MACOM 肖特基二极管与整流器 Diode,Schottky,ZBD,Chip
1,100预期 2026/6/10
最低: 100
倍数: 100

MACOM XX1000-BD-000V
MACOM 射频无线杂项 MMIC,DIE,DBL,IN=7.5-25G,OUT=15-50G,VR
100预期 2026/6/9
最低: 100
倍数: 100


CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
3预期 2026/6/3
最低: 1
倍数: 1
: 10


CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
10预期 2026/6/30
最低: 1
倍数: 1
: 10