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RF Power MOSFET 半导体

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零件编号

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

PXFE181507FC-V1-R0
MACOM
50: ¥611.443
无库存
NRND

制造商零件编号
PXFE181507FC-V1-R0

Mouser 零件编号
941-PXFE181507FCV1R0

NRND

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

无库存

卷轴

¥611.443

¥550.7281

报价

最低： 50
倍数： 50

: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

PXFE181507FC-V1-R2
MACOM
250: ¥550.8072
无库存
NRND

制造商零件编号
PXFE181507FC-V1-R2

Mouser 零件编号
941-PXFE181507FCV1R2

NRND

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

无库存

卷轴

¥550.8072

报价

最低： 250
倍数： 250

: 250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

PXFE211507FC-V1-R0
MACOM
50: ¥611.443
无库存
NRND

制造商零件编号
PXFE211507FC-V1-R0

Mouser 零件编号
941-PXFE211507FCV1R0

NRND

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

无库存

卷轴

¥611.443

¥550.7281

报价

最低： 50
倍数： 50

: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

PXFE211507FC-V1-R2
MACOM
250: ¥550.8072
无库存
NRND

制造商零件编号
PXFE211507FC-V1-R2

Mouser 零件编号
941-PXFE211507FCV1R2

NRND

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

无库存

卷轴

¥550.8072

报价

最低： 250
倍数： 250

: 250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz

AFV10700HR5
NXP Semiconductors
1: ¥6,808.8489
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
AFV10700HR5

Mouser 零件编号
771-AFV10700HR5

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥6,808.8489

¥5,973.6659

卷轴

¥5,973.6659

最低： 1
倍数： 1

: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W

MRF13750HR5
NXP Semiconductors
1: ¥3,104.0874
交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRF13750HR5

Mouser 零件编号
771-MRF13750HR5

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W

数据表

交货期 53 周

剪切带

¥3,104.0874

¥2,548.3195

卷轴

¥2,548.3195

最低： 1
倍数： 1

: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300BN
NXP Semiconductors
1: ¥759.5182
交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRF300BN

Mouser 零件编号
771-MRF300BN

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

数据表

交货期 53 周

¥759.5182

¥632.8113

¥595.8038

¥562.7061

最低： 1
倍数： 1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V

A2T08VD020NT1
NXP Semiconductors
1: ¥238.317
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
A2T08VD020NT1

Mouser 零件编号
841-A2T08VD020NT1

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥238.317

¥156.1547

¥132.4473

¥123.0683

查看

卷轴

¥97.4512

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V

AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: ¥273.9233
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
AFT09MS031GNR1

Mouser 零件编号
841-AFT09MS031GNR1

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥273.9233

¥221.1297

¥207.92

¥193.4221

¥186.5517

卷轴

¥182.3933

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 500

GaN 场效应晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V

MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
1: ¥7,876.326
交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MMRF5014HR5

Mouser 零件编号
841-MMRF5014HR5

寿命结束

NXP Semiconductors

GaN 场效应晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V

数据表

交货期 53 周

剪切带

¥7,876.326

¥6,808.6568

卷轴

¥6,808.6568

最低： 1
倍数： 1

: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N

MRF1518NT1
NXP Semiconductors
1: ¥100.5813
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRF1518NT1

Mouser 零件编号
841-MRF1518NT1

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥100.5813

¥72.8624

¥64.8733

¥61.7545

查看

卷轴

¥52.1947

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H

MRF6V12500HR5
NXP Semiconductors
1: ¥7,480.0124
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRF6V12500HR5

Mouser 零件编号
841-MRF6V12500HR5

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥7,480.0124

卷轴

¥7,480.0124

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1: ¥5,038.0146
交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRFE6VP5600HR5

Mouser 零件编号
841-MRFE6VP5600HR5

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

数据表

交货期 53 周

剪切带

¥5,038.0146

¥4,399.1239

卷轴

¥4,399.1239

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: ¥2,827.373
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRFE6VP5600HR6

Mouser 零件编号
841-MRFE6VP5600HR6

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥2,827.373

¥2,435.4099

¥2,337.6197

¥2,205.7713

卷轴

¥2,205.7713

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 150

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H

MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
1: ¥3,579.501
无库存交货期 53 周
寿命结束

制造商零件编号
MRFE6VP61K25HR6

Mouser 零件编号
841-MRFE6VP61K25HR6

寿命结束

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H

数据表

无库存交货期 53 周

剪切带

¥3,579.501

¥3,100.9573

¥2,981.4485

¥2,945.1416

¥2,820.593

卷轴

¥2,820.593

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 150

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included

LTA/PTRA084858NF-V1
MACOM
1: ¥6,436.5817
无库存

制造商零件编号
LTA/PTRA084858NF-V1

Mouser 零件编号
941-TAPTRA084858NFV1

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included

数据表

无库存

¥6,436.5817

¥5,730.6481

最低： 1
倍数： 1

否

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included

LTA/PTRA095908NB-V1
MACOM
1: ¥6,436.5817
无库存

制造商零件编号
LTA/PTRA095908NB-V1

Mouser 零件编号
941-TAPTRA095908NBV1

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included

数据表

无库存

¥6,436.5817

¥5,730.6481

最低： 1
倍数： 1

否

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included

LTA/PTRA097058NB-V1
MACOM
1: ¥6,436.5817
无库存

制造商零件编号
LTA/PTRA097058NB-V1

Mouser 零件编号
941-TAPTRA097058NBV1

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included

数据表

无库存

¥6,436.5817

¥5,730.6481

最低： 1
倍数： 1

否

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included

LTA/PXAE261908NF-V1
MACOM
1: ¥6,436.5817
无库存

制造商零件编号
LTA/PXAE261908NF-V1

Mouser 零件编号
941-TAPXAE261908NFV1

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included

数据表

无库存

¥6,436.5817

¥5,730.6481

最低： 1
倍数： 1

否

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174

VRF161
Microchip Technology
12: ¥676.531
无库存

制造商零件编号
VRF161

Mouser 零件编号
494-VRF161

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174

数据表

无库存

¥676.531

最低： 12
倍数： 1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR

VRF2944MP
Microchip Technology
10: ¥3,298.8768
无库存

制造商零件编号
VRF2944MP

Mouser 零件编号
494-VRF2944MP

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR

数据表

无库存

¥3,298.8768

最低： 10
倍数： 1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor

RF2L24280CB4
STMicroelectronics
100: ¥1,718.1763
无库存交货期 52 周

制造商零件编号
RF2L24280CB4

Mouser 零件编号
511-RF2L24280CB4

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor

数据表

无库存交货期 52 周

¥1,718.1763

最低： 100
倍数： 100

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF4L10700CB4
STMicroelectronics
100: ¥1,718.1763
无库存交货期 52 周

制造商零件编号
RF4L10700CB4

Mouser 零件编号
511-RF4L10700CB4

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

数据表

无库存交货期 52 周

¥1,718.1763

最低： 100
倍数： 100

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor

RF5L0912750CB4
STMicroelectronics
100: ¥1,718.1763
无库存交货期 52 周

制造商零件编号
RF5L0912750CB4

Mouser 零件编号
511-RF5L0912750CB4

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor

数据表

无库存交货期 52 周

¥1,718.1763

最低： 100
倍数： 100

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor

RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics
100: ¥1,718.1763
无库存交货期 52 周

制造商零件编号
RF5L10111K0CB4

Mouser 零件编号
511-RF5L10111K0CB4

STMicroelectronics

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor

数据表

无库存交货期 52 周

¥1,718.1763

最低： 100
倍数： 100

RF Power MOSFET 半导体

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昴氏(上海)电子贸易有限公司

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