GaAs 半导体

结果: 1,499
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Qorvo 射频放大器 DC-20 GHz Distributed Power Amplifier
77预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1

Qorvo 射频放大器 4 - 10 GHz Driver Amplifier
950预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 100

Qorvo 相位探测器 / 移相器 8-12GHz 6 Bit LSB 5.625 Deg.
2,725预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

Skyworks Solutions, Inc. RF 开关 IC .1-3GHz IL .4dB Iso 22 dB @ 2.4GHz
422,998在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM RF 开关 IC Switch,SP2T,17.7-31.0GHz,3mmPQFN-14LD
999预期 2026/8/14
最低: 1
倍数: 1
: 500

MACOM RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 27dB IL .4dB @2.4GHz
57,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Nisshinbo RF 开关 IC
8,900在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Nisshinbo 射频放大器 GNSS Wideband Low Noise Amplifier
10,000预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Skyworks Solutions, Inc. RF 开关 IC 3-8GHz SP2T GaAs IL 1dB max
14,500预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Mini-Circuits 衰减器 MMIC ATTENUATOR 30 DB
955预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1
: 500

Mini-Circuits RF 开关 IC Absorptive SP4T, SMT Solid State Switch, DC - 30 GHz, 50?
176预期 2026/9/9
最低: 1
倍数: 1
: 100

Mini-Circuits 射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50?
3,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

Mini-Circuits 衰减器 MMIC ATTENUATOR 5 dB
895预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1
: 500

Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
1,513在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

Mini-Circuits 衰减器 FXD ATTEN/SURF MT/RoHS
6,307在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Mini-Circuits 衰减器 FXD ATTEN/SURF MT/RoHS
5,955预期 2026/7/1
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Mini-Circuits 衰减器 FXD ATTEN/SURF MT/RoHS
5,466预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Qorvo 射频放大器 8-22 GHz Low Phase Noise Amplifier
100预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1
: 50

Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.40 mm Pwr pHEMT
300预期 2026/8/3
最低: 100
倍数: 100
: 100

Qorvo 射频放大器 16-178.5GHz 1W GaAs SSG > 24.5dB
100预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1

Qorvo 相位探测器 / 移相器 15-19GHz 6-Bit DPS LSB 5.625
100预期 2026/11/13
最低: 1
倍数: 1

MACOM RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 22dB IL <.3dB @ 900MHz
11,286在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

CML Micro 射频放大器 21-27GHz, 3W Power Amplifier
184预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1
: 100

CML Micro 射频放大器 4.4 - 5.9 GHzz 2W High Efficiency Linear Power Amplifier
100预期 2026/8/18
最低: 1
倍数: 1
: 100


CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
100预期 2026/6/23
最低: 1
倍数: 1
: 100