|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
- FH2164
- MACOM
-
1:
¥1,420.2292
-
17库存量
|
Mouser 零件编号
937-FH2164
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
|
|
17库存量
|
|
|
¥1,420.2292
|
|
|
¥1,189.2911
|
|
|
¥1,166.7928
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
- PD54003-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥107.9489
-
110库存量
|
Mouser 零件编号
511-PD54003-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
|
|
110库存量
|
|
|
¥107.9489
|
|
|
¥65.1784
|
|
|
¥58.2289
|
|
|
¥57.8221
|
|
|
¥56.50
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
- 2SK4037(TE12L,Q)
- Toshiba
-
1:
¥53.0196
-
426库存量
|
Mouser 零件编号
757-2SK4037TE12LQ
|
Toshiba
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
|
|
426库存量
|
|
|
¥53.0196
|
|
|
¥34.7362
|
|
|
¥25.6397
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥20.3513
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R2
- MACOM
-
1:
¥975.8793
-
90库存量
|
Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
90库存量
|
|
|
¥975.8793
|
|
|
¥815.8261
|
|
|
¥791.7571
|
|
|
¥791.7571
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
CML Micro MWT-PH27F71
- MWT-PH27F71
- CML Micro
-
1:
¥486.7136
-
1库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH27F71
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
1库存量
|
|
|
¥486.7136
|
|
|
¥486.7136
|
|
|
¥421.3092
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,455.4739
-
110库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
110库存量
|
|
|
¥1,455.4739
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
120
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981S/SOT467/TRAY
- BLF981SU
- Ampleon
-
1:
¥1,141.978
-
55库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLF981SU
新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981S/SOT467/TRAY
|
|
55库存量
|
|
|
¥1,141.978
|
|
|
¥959.9237
|
|
|
¥891.2649
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981/SOT467/TRAY
- BLF981U
- Ampleon
-
1:
¥1,115.1744
-
31库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLF981U
新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981/SOT467/TRAY
|
|
31库存量
|
|
|
¥1,115.1744
|
|
|
¥940.9736
|
|
|
¥872.8233
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL
- BLP981XY
- Ampleon
-
1:
¥531.2808
-
45库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP981XY
新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL
|
|
45库存量
|
|
|
¥531.2808
|
|
|
¥439.1406
|
|
|
¥416.1451
|
|
|
¥393.3191
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
- CLP24H4S30PXY
- Ampleon
-
1:
¥643.7836
-
82库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
94-CLP24H4S30PXY
新产品
|
Ampleon
|
GaN 场效应晶体管 CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
|
|
82库存量
|
|
|
¥643.7836
|
|
|
¥535.0889
|
|
|
¥507.6299
|
|
|
¥478.0126
|
|
|
¥472.5547
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,455.4739
-
20库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20库存量
|
|
|
¥1,455.4739
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
120
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,625.2903
-
18库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF5L15120CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
|
|
18库存量
|
|
|
¥1,625.2903
|
|
|
¥1,305.4212
|
|
|
¥1,305.4212
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥3,751.6565
-
148库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRFE6VP61K25HR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
148库存量
|
|
|
¥3,751.6565
|
|
|
¥3,129.3542
|
|
|
¥3,129.3542
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
- VRF150
- Microchip Technology
-
1:
¥566.4351
-
296库存量
-
157预期 2026/7/24
|
Mouser 零件编号
494-VRF150
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
|
|
296库存量
157预期 2026/7/24
|
|
|
¥566.4351
|
|
|
¥545.7561
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
- PD57018-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥257.9903
-
689库存量
|
Mouser 零件编号
511-PD57018-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
|
|
689库存量
|
|
|
¥257.9903
|
|
|
¥188.9247
|
|
|
¥177.4213
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥412.5065
-
523库存量
|
Mouser 零件编号
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
523库存量
|
|
|
¥412.5065
|
|
|
¥308.7838
|
|
|
¥299.1788
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥436.4964
-
450库存量
|
Mouser 零件编号
511-PD57060-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
450库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
- SD2932W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,676.3211
-
89库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2932W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
|
|
89库存量
|
|
|
¥1,676.3211
|
|
|
¥1,360.181
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,048.0072
-
260库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
260库存量
|
|
|
¥1,048.0072
|
|
|
¥899.0393
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
- TGF2929-FL
- Qorvo
-
1:
¥6,008.8428
-
65库存量
|
Mouser 零件编号
772-TGF2929-FL
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
|
|
65库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
- MRF177
- MACOM
-
1:
¥2,593.0675
-
352库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF177
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
|
|
352库存量
|
|
|
¥2,593.0675
|
|
|
¥2,189.6575
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF460AG
- Microchip Technology
-
1:
¥468.6675
-
85库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF460AG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
85库存量
|
|
|
¥468.6675
|
|
|
¥396.5396
|
|
|
¥378.4257
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
- ARF463AP1G
- Microchip Technology
-
1:
¥372.4706
-
400库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF463AP1G
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
400库存量
|
|
|
¥372.4706
|
|
|
¥351.8707
|
|
|
¥351.6221
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
- ARF475FL
- Microchip Technology
-
1:
¥1,244.13
-
19库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF475FL
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
|
|
19库存量
|
|
|
¥1,244.13
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
- VRF2933
- Microchip Technology
-
1:
¥1,364.3959
-
23库存量
|
Mouser 零件编号
494-VRF2933
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
|
|
23库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
