RF Power MOSFET 半导体

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数量 RoHS
NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
数据表
1,163库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor
数据表
111库存量
250预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1
: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
数据表
6,000库存量
4,000预期 2026/6/25
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
数据表
72库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
数据表
282库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
数据表
2,669库存量
3,000预期 2026/7/6
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
394库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
605库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
70库存量
400预期 2026/11/23
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
112库存量
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
501库存量
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
30库存量
550预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
数据表
48库存量
90预期 2027/4/30
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
数据表
53库存量
最低： 1
倍数： 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1

Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
146库存量
250预期 2026/6/24
最低： 1
倍数： 1
否
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
数据表
10库存量
50预期 2026/6/26
最低： 1
倍数： 1
: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
数据表
2,650库存量
23,000预期 2026/6/26
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
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418库存量
2,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V
数据表
219库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET
数据表
186库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500