|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
- ARF1510
- Microchip Technology
-
1:
¥2,835.8367
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF1510
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
- ARF463AG
- Microchip Technology
-
1:
¥342.6047
-
18库存量
-
30预期 2026/10/19
|
Mouser 零件编号
494-ARF463AG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
18库存量
30预期 2026/10/19
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
- SD2932BW
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,805.7739
-
35库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2932BW
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
|
|
35库存量
|
|
|
¥1,805.7739
|
|
|
¥1,565.728
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
- SD2941-10W
- STMicroelectronics
-
1:
¥738.3194
-
19库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2941-10W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
|
|
19库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
- SD4933MR
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,370.2719
-
5库存量
-
150预期 2026/7/7
|
Mouser 零件编号
511-SD4933MR
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
|
|
5库存量
150预期 2026/7/7
|
|
|
¥1,370.2719
|
|
|
¥1,087.8849
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
- MRF134
- MACOM
-
1:
¥822.7756
-
5库存量
-
360在途量
|
Mouser 零件编号
937-MRF134
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
|
|
5库存量
360在途量
在途量:
120 预期 2027/1/8
240 预期 2027/1/18
|
|
|
¥822.7756
|
|
|
¥684.3958
|
|
|
¥671.9884
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF160
- MACOM
-
1:
¥923.3569
-
5库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF160
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
5库存量
|
|
|
¥923.3569
|
|
|
¥768.1062
|
|
|
¥699.6169
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
- UF28100V
- MACOM
-
1:
¥2,970.657
-
14库存量
|
Mouser 零件编号
937-UF28100V
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
|
|
14库存量
|
|
|
¥2,970.657
|
|
|
¥2,508.5322
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
- UF2840P
- MACOM
-
1:
¥1,212.2075
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
937-UF2840P
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
|
|
2库存量
|
|
|
¥1,212.2075
|
|
|
¥1,013.0224
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH31F
- CML Micro
-
1:
¥276.624
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH31F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
20库存量
|
|
|
¥276.624
|
|
|
¥256.1258
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH32F
- CML Micro
-
1:
¥334.5591
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH32F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
9库存量
|
|
|
¥334.5591
|
|
|
¥309.8008
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- MWT-PH33F
- CML Micro
-
10:
¥150.516
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH33F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
30库存量
|
|
|
¥150.516
|
|
|
¥150.2561
|
|
|
¥123.6785
|
|
|
¥116.0397
|
|
|
查看
|
|
|
¥114.6385
|
|
|
报价
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-stage power MMIC
- BLM7G1822S-40PBGY
- Ampleon
-
1:
¥370.4027
-
45库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLM7G1822S-40PBGY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-stage power MMIC
|
|
45库存量
|
|
|
¥370.4027
|
|
|
¥320.355
|
|
|
¥304.5576
|
|
|
¥267.584
|
|
|
¥262.7928
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF461BG
- ARF461BG
- Microchip Technology
-
1:
¥489.8437
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF461BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
30库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA030121EA-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥424.0099
-
41库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA030121EA1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
41库存量
|
|
|
¥424.0099
|
|
|
¥361.6452
|
|
|
¥361.6452
|
|
|
¥316.3096
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA120251EA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥462.5655
-
7库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA120251EA2R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
7库存量
|
|
|
¥462.5655
|
|
|
¥441.6379
|
|
|
¥441.6379
|
|
|
¥412.111
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
- MRFX035HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥1,175.4486
-
7库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-MRFX035HR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
|
|
7库存量
|
|
|
¥1,175.4486
|
|
|
¥915.4243
|
|
|
¥915.4243
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥38.9059
-
147库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFM906NT1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
147库存量
|
|
|
¥38.9059
|
|
|
¥28.928
|
|
|
¥25.3572
|
|
|
¥23.8882
|
|
|
查看
|
|
|
¥17.8088
|
|
|
¥22.5774
|
|
|
¥19.888
|
|
|
¥18.6789
|
|
|
¥17.8088
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥539.688
-
8库存量
-
500在途量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFT05MP075NR1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
8库存量
500在途量
|
|
|
¥539.688
|
|
|
¥374.934
|
|
|
¥374.8549
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
-
1:
¥1,542.0545
-
1库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRF6V10010NR4
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
|
|
1库存量
|
|
|
¥1,542.0545
|
|
|
¥1,308.0767
|
|
|
¥1,246.503
|
|
|
¥1,229.9146
|
|
|
¥1,143.8312
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
onsemi NVJD5121NT1G-M06
- NVJD5121NT1G-M06
- onsemi
-
1:
¥3.6386
-
16,597库存量
|
Mouser 零件编号
863-NVJD5121NT1G-M06
|
onsemi
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
|
|
16,597库存量
|
|
|
¥3.6386
|
|
|
¥2.2261
|
|
|
¥1.4012
|
|
|
¥1.0509
|
|
|
¥0.93451
|
|
|
¥0.72772
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC270101M-V1-R1K
- MACOM
-
1:
¥252.1369
-
1库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
941-PTFC270101M1RK
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
1库存量
|
|
|
¥252.1369
|
|
|
查看
|
|
|
¥215.2989
|
|
|
¥215.7396
|
|
|
¥215.2989
|
|
|
¥215.2989
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
- MRF173
- MACOM
-
1:
¥1,249.9269
-
150预期 2026/12/4
|
Mouser 零件编号
937-MRF173
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
|
|
150预期 2026/12/4
|
|
|
¥1,249.9269
|
|
|
¥1,044.5381
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
- VRF151
- Microchip Technology
-
1:
¥580.0855
-
79预期 2026/7/21
|
Mouser 零件编号
494-VRF151
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
|
|
79预期 2026/7/21
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
¥386.0532
-
2,612预期 2026/7/9
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-MRF101AN
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
2,612预期 2026/7/9
|
|
|
¥386.0532
|
|
|
¥315.4395
|
|
|
¥307.4617
|
|
|
¥276.0138
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
