|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
- MRFE6VP61K25HSR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥3,441.415
-
100预期 2026/6/16
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRFE6VP61K25HSR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
|
|
100预期 2026/6/16
|
|
|
¥3,441.415
|
|
|
¥2,793.3261
|
|
|
¥2,793.3261
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
- MRF171A
- MACOM
-
1:
¥1,189.8674
-
50预期 2026/10/13
|
Mouser 零件编号
937-MRF171A
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
|
|
50预期 2026/10/13
|
|
|
¥1,189.8674
|
|
|
¥994.3322
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF461AG
- Microchip Technology
-
1:
¥489.8437
-
27预期 2026/6/26
|
Mouser 零件编号
494-ARF461AG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
27预期 2026/6/26
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
- MHT1803A
- NXP Semiconductors
-
1:
¥339.4181
-
239预期 2026/10/1
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-MHT1803A
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
|
|
239预期 2026/10/1
|
|
|
¥339.4181
|
|
|
¥276.1946
|
|
|
¥257.7756
|
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|
¥234.1586
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥200.7219
-
124预期 2026/6/23
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFT05MS031NR1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
|
|
124预期 2026/6/23
|
|
|
¥200.7219
|
|
|
¥160.6747
|
|
|
¥149.6459
|
|
|
¥146.6062
|
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查看
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|
|
¥138.5267
|
|
|
¥142.3461
|
|
|
¥138.5267
|
|
|
¥138.5267
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- MWT-PH8F71
- CML Micro
-
1:
¥1,188.7374
-
10预期 2026/6/30
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH8F71
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
10预期 2026/6/30
|
|
|
¥1,188.7374
|
|
|
¥1,188.7374
|
|
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查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
10
|
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|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA102001EA-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥3,070.8202
-
无库存交货期 7 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA102001EA1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存交货期 7 周
|
|
|
¥3,070.8202
|
|
|
¥2,593.1353
|
|
|
¥2,593.1353
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA127002EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥8,712.7972
-
无库存交货期 12 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA127002EV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存交货期 12 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
- ARF1500
- Microchip Technology
-
1:
¥2,570.4788
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF1500
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
|
|
无库存
|
|
|
¥2,570.4788
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
- ARF1510
- Microchip Technology
-
1:
¥2,835.8367
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF1510
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
- ARF466AG
- Microchip Technology
-
25:
¥541.7898
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF466AG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存
|
|
最低： 25
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
- ARF466BG
- Microchip Technology
-
25:
¥541.7898
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF466BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存
|
|
|
¥541.7898
|
|
|
¥479.007
|
|
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查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 25
倍数： 1
|
|
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
- ARF477FL
- Microchip Technology
-
1:
¥1,263.0688
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF477FL
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
|
|
无库存
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
- VRF151G
- Microchip Technology
-
1:
¥1,444.0609
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-VRF151G
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
|
|
无库存
|
|
|
¥1,444.0609
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
- VRF152
- Microchip Technology
-
1:
¥870.0096
-
交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF152
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
|
|
交货期 24 周
|
|
|
¥870.0096
|
|
|
¥736.2515
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
- PD54008TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥81.8911
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD54008TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥81.8911
|
|
|
¥77.5067
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55015STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥86.6032
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55015STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥86.6032
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
- PD55025TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥181.8057
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55025TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥187.6817
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥187.6817
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥188.5066
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57030S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥294.8848
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57030S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57045-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥357.9162
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57045-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥386.5278
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥386.5278
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥174.1217
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥174.1217
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
