RF Power MOSFET 半导体

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数量 RoHS
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 120
倍数： 120
: 120

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 160
倍数： 160
: 160

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1
: 100

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 60
倍数： 60

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 120
倍数： 120
: 120

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
数据表
无库存
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000