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|
GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
- QPD1025
- Qorvo
-
18:
¥18,810.7145
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
772-QPD1025
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
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无库存交货期 20 周
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最低： 18
倍数： 18
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
- DU28120V
- MACOM
-
40:
¥2,424.98
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-DU28120V
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
|
|
无库存交货期 26 周
|
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最低： 40
倍数： 40
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
- MRF151G
- MACOM
-
1:
¥3,716.0954
-
交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF151G
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
|
|
交货期 28 周
|
|
|
¥3,716.0954
|
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¥3,167.1075
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最低： 1
倍数： 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
- MRF275L
- MACOM
-
80:
¥1,612.6343
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF275L
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 80
倍数： 80
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
- UF2840G
- MACOM
-
40:
¥2,657.9182
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2840G
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
|
|
无库存交货期 26 周
|
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最低： 40
倍数： 40
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥965.1782
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAB182002FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
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¥965.1782
|
|
|
¥879.1965
|
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查看
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报价
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最低： 50
倍数： 50
:
50
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥879.2869
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAB182002FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥879.2869
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥683.6952
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAC260302FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥683.6952
|
|
|
¥615.8613
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥615.9517
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAC260302FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥615.9517
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R0
- MACOM
-
50:
¥1,544.5744
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA211801EV5R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
|
|
无库存
|
|
|
¥1,544.5744
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R250
- MACOM
-
250:
¥1,442.9535
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA211801EV5R25
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
|
|
无库存
|
|
|
¥1,442.9535
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFB201402FC-V2-R0
- MACOM
-
50:
¥681.2657
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB201402FC2R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥681.2657
|
|
|
¥620.5508
|
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查看
|
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|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFB201402FC-V2-R250
- MACOM
-
250:
¥620.6412
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB201402FC2R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥620.6412
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC260202FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥567.4069
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFC260202FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥567.4069
|
|
|
¥511.0425
|
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|
报价
|
|
|
报价
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|
最低： 50
倍数： 50
:
50
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC260202FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥511.1216
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFC260202FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥511.1216
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
- PTGA090304MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥336.8191
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTGA090304MDV1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
- PTGA090304MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
¥336.74
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTGA090304MDV2R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTMC210404MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
¥383.9627
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTMC210404MDV2R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTNC210604MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥412.5856
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTNC210604MDV1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA084808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA084808NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA084858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA084858NFV1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA087008NB-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥1,063.5673
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA087008NB1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
- PTRA087008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,031.5544
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA087008NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
|
|
无库存
|
|
|
¥1,031.5544
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA094808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA094808NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
- PTRA095908NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,016.4915
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA095908NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
|
|
无库存
|
|
|
¥1,016.4915
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
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