|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
- PTRA095908NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,016.4915
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA095908NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
|
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无库存
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¥1,016.4915
|
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查看
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报价
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最低： 250
倍数： 250
:
250
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA097008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,031.5544
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA097008NB1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
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|
¥1,031.5544
|
|
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报价
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报价
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最低： 250
倍数： 250
:
250
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA097058NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,087.4668
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA097058NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
无库存
|
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|
¥1,087.4668
|
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查看
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报价
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最低： 250
倍数： 250
:
250
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA082407NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥572.8874
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA082407NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
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|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA084007NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥802.1757
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA084007NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA092407NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥590.8431
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA092407NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
- PTVA092407NF-V2-R5
- MACOM
-
500:
¥572.8874
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA092407NFV2R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA120252MT-V1-R1K
- MACOM
-
1,000:
¥168.2457
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA120252MT1RK
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 1,000
倍数： 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC200902FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥559.4969
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC200902FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥559.4969
|
|
|
¥503.9235
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC200902FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥504.0026
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC200902FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥504.0026
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC201202FC-V2-R0
- MACOM
-
50:
¥693.2437
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC201202FC2R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥693.2437
|
|
|
¥631.3197
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC201202FC-V2-R250
- MACOM
-
250:
¥631.4101
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC201202FC2R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥631.4101
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥808.2438
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC201602FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥808.2438
|
|
|
¥736.1498
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥736.2515
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC201602FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥736.2515
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥550.3891
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
无库存
|
|
|
¥550.3891
|
|
|
¥481.493
|
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查看
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|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16080CF2
- STMicroelectronics
-
160:
¥501.0985
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L16080CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 160
倍数： 160
:
160
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L42008CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥286.3646
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L42008CG2
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 300
倍数： 300
:
300
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- RF3L05250CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,625.2903
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05250CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9060C
- STMicroelectronics
-
50:
¥628.0653
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-ST9060C
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥628.0653
|
|
|
¥580.0064
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
- STAC4932F
- STMicroelectronics
-
80:
¥942.7929
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-STAC4932F
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 80
倍数： 80
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC240502FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥693.2437
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTAC240502FC1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥693.2437
|
|
|
¥631.3197
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC240502FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥631.4101
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTAC240502FC1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥631.4101
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC210202FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥517.3705
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTFC210202FC1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥517.3705
|
|
|
¥499.4035
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC210202FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥485.0638
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTFC210202FC1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥485.0638
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
- PTRA094858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥978.4444
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTRA094858NFV1R5
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
|
