GP3T016A120H

SemiQ
148-GP3T016A120H
GP3T016A120H

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

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SemiQ
产品种类: 碳化硅MOSFET
发货限制：
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RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
350 A
23 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
260 nC
- 55 C
+ 175 C
484 W
Enhancement
商标: SemiQ
配置: Single
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 29 S
封装: Tube
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 25 ns
系列: GP3T
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SiC MOSFET
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET分立器件

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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