GP3T020A120H

Name: SemiQ GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T020A120H
Price: 85.13 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

148-GP3T020A120H

制造商编号：

GP3T020A120H

制造商：

SemiQ

说明：

碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

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库存量: 55

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预期 2026/2/20
生产周期：: 18

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥96.1969	¥96.20
	¥58.3984	¥583.98
	¥49.7991	¥5,975.89
	¥46.9854	¥23,962.55

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SemiQ
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4L
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	280 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	234 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	429 W
通道模式:	Enhancement
商标:	SemiQ
配置:	Single
下降时间:	18 ns
正向跨导 - 最小值:	24 S
封装:	Tube
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	25 ns
系列:	GP3T
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	59 ns
典型接通延迟时间:	19 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

GP3T020A120H 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET分立器件

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.