STD8N60DM2

Name: STMicroelectronics STD8N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD8N60DM2
Price: 11.71 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STD8N60DM2

制造商编号：

STD8N60DM2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.2323	¥13.23
	¥9.4242	¥94.24
	¥6.4071	¥640.71
	¥5.1189	¥2,559.45
	¥4.6104	¥4,610.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥4.0341	¥10,085.25
	¥3.6499	¥18,249.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	570 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	85 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	STD8N60DM2
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	330 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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