STL160N10F8

STMicroelectronics
511-STL160N10F8
STL160N10F8

制造商：

说明：
MOSFET N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
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数量 单价
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¥29.4478 ¥29.45
¥19.1874 ¥191.87
¥13.4809 ¥1,348.09
¥11.2548 ¥5,627.40
¥10.509 ¥10,509.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥9.8423 ¥29,526.90
¥9.6728 ¥58,036.80

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
100 V
158 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

Other

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准，并提供30V至150V的全面封装解决方案，以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体二极管特性，来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计，提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

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