LMG3100R017VBER

Name: Texas Instruments LMG3100R017VBER
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3100R017VBER
Price: 111.75 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-LMG3100R017VBER

制造商编号：

LMG3100R017VBER

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri

寿命周期:

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数据表:

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预期 2026/2/26
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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥126.2775	¥126.28
	¥95.9709	¥959.71
	¥91.982	¥2,299.55
	¥81.0436	¥8,104.36
	¥77.0434	¥19,260.85
	¥72.094	¥36,047.00
	¥67.2237	¥67,223.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥67.2237	¥168,059.25

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-FCRLF-15
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	8 A
电源电压-最小:	4.75 V
电源电压-最大:	5.25 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	LMG3100R017
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Texas Instruments
输入电压 - 最大值:	5.25 V
输入电压 - 最小值:	4.75 V
逻辑类型:	TTL
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	170 uA
输出电压:	12 V
产品类型:	Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻:	1.7 mOhms
工厂包装数量:	2500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	GaN

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ECCN:: EAR99

LMG3100R0x集成驱动器GaN FET

Texas Instruments LMG3100R0x集成驱动器氮化镓（GaN）FET是1.7mΩ GaN FET和驱动器，带有高侧电平移位器和自举电路。可以使用两个LGM3100器件形成半桥，无需外部电平移位器。GaN FET和驱动器组件具有内置电源轨欠压锁定（UVLO）保护和内部自举电源电压钳位能力，以防止过驱（>5.4V）。Texas Instruments LMG3100R0x提供低功耗和改进的用户接口。LMG3100R017是高频、高效应用的理想解决方案，包括降压-升压转换器、LLC转换器、太阳能逆变器、电信、电机驱动器、电动工具和D级别音频放大器。