LMG3100R044VBER

Texas Instruments
595-LMG3100R044VBER
LMG3100R044VBER

制造商:

说明:
栅极驱动器 100V 4.4mohm GaN FET with integrated dri

寿命周期:
新产品:
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ECAD模型:
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库存量: 2,104

库存:
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生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥64.1049 ¥64.10
¥49.1324 ¥491.32
¥45.7424 ¥1,143.56
¥40.2845 ¥4,028.45
¥38.2166 ¥9,554.15
¥34.239 ¥17,119.50
¥28.8715 ¥28,871.50
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥27.6285 ¥69,071.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
SMD/SMT
VQFN-15
1 Output
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG3100R044
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
开发套件: LMG3100EVM-089
输入电压 - 最大值: 5.25 V
输入电压 - 最小值: 4.75 V
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 35 A
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 70 ns
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542391090
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3100R0x集成驱动器GaN FET

Texas Instruments LMG3100R0x集成驱动器氮化镓(GaN)FET是1.7mΩ GaN FET和驱动器,带有高侧电平移位器和自举电路。可以使用两个LGM3100器件形成半桥,无需外部电平移位器。GaN FET和驱动器组件具有内置电源轨欠压 锁定(UVLO)保护和内部自举电源电压钳位能力,以防止过驱(>5.4V)。Texas Instruments LMG3100R0x提供低功耗和改进的用户接口。LMG3100R017是高频、高效应用的理想解决方案,包括降压-升压转换器、LLC转换器、太阳能逆变器、电信、电机驱动器、电动工具和D级别音频放大器。