EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 70.13 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

65-EPC2361

制造商编号：

EPC2361

制造商：

EPC

说明：

GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

寿命周期:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	EPC
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	133 A
Rds On-漏源导通电阻:	1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
商标名:	eGaN FET
技术:	GaN
商标:	EPC
配置:	Single
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
引脚数:	7
产品:	Power Transistor
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	35.200 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

EPC2361 eGaN® FET

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¥-.--

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	¥79.2469	¥79.25
	¥43.6745	¥436.75
	¥40.2054	¥4,020.54
	¥37.7194	¥18,859.70
	¥34.578	¥34,578.00
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	¥32.2615	¥96,784.50

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