1ED21271S65FXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED21271S65FXUMA
1ED21271S65FXUMA1

制造商：

说明：
栅极驱动器 650V high-side gate driver

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库存量: 2,373

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.2778 ¥19.28
¥12.4074 ¥124.07
¥11.0853 ¥277.13
¥9.1869 ¥918.69
¥8.5993 ¥2,149.83
¥7.5145 ¥3,757.25
¥6.5314 ¥6,531.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.9438 ¥14,859.50
¥5.6613 ¥42,459.75

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
PG-DSO-8
1 Driver
1 Output
4 A
25 V
Inverting
12 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
最大关闭延迟时间: 80 ns
最大开启延迟时间: 80 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 270 uA
输出电压: 460 mV
Pd-功率耗散: 625 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 410 ns
Rds On-漏源导通电阻: 50 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: EiceDRIVER
零件号别名: 1ED21271S65F SP005826767
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已选择的属性: 0

数据表

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。

EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V高侧栅极驱动器

Infineon Technologies  EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V高侧栅极驱动器设计用于为高压功率晶体管提供稳健高效的控制。这些英飞凌栅极驱动器采用高侧驱动器架构，支持各种应用，包括电机驱动器、太阳能逆变器和工业电源。1ED21x7x系列具有650V的最大额定电压，确保在严苛环境中可靠运行。主要特性包括集成自举二极管、快速开关能力，以及全面的保护机制，如欠压闭锁 (UVLO) 和过电流保护。这些特性使EiceDRIVER™ 1ED21x7x系列成为增强高压电源系统性能和可靠性的理想选择。

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