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6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 33.6 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-6ED2230S12TXUMA1

制造商编号：

6ED2230S12TXUMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

数据表:

6ED2230S12TXUMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSO-24
激励器数量:	6 Driver
输出端数量:	6 Output
输出电流:	650 mA
电源电压-最小:	13 V
电源电压-最大:	20 V
配置:	Inverting
上升时间:	35 ns
下降时间:	20 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	Infineon SOI
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
逻辑类型:	CMOS
最大关闭延迟时间:	600 ns
最大开启延迟时间:	600 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	175 uA
Pd-功率耗散:	1.3 W
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	900 ns
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
商标名:	EiceDRIVER
零件号别名:	6ED2230S12T SP001656578
单位重量:	807.300 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

6ED2230S12TXUMA1 数据表 (PDF)

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 印度尼西亚
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

6ED223xS12T EiceDRIVER™栅极驱动器IC

英飞凌科技6ED223xS12T EiceDRIVER™电平移位栅极驱动器IC一款高压（高达1200V）、高速绝缘栅极双极晶体管 (IGBT)，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于三相应用。采用专有的防闩锁 CMOS技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或TTL输出兼容，低至3.3V逻辑。该电阻器还具有过流保护 (OCP) 功能，可端接所有六个输出。

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

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1200V电平移位栅极驱动器

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