6ED2230S12TXUMA1

Infineon Technologies
726-6ED2230S12TXUMA1
6ED2230S12TXUMA1

制造商:

说明:
栅极驱动器 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 61

库存:
61
可立即发货
在途量:
2,000
预期 2026/2/23
生产周期:
19
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.8322 ¥33.83
¥25.6397 ¥256.40
¥23.5718 ¥589.30
¥21.3457 ¥2,134.57
¥20.2609 ¥5,065.23
¥19.6055 ¥9,802.75
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥18.9388 ¥18,938.80
¥18.193 ¥36,386.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSO-24
6 Driver
6 Output
650 mA
13 V
20 V
Inverting
35 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
Infineon SOI
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
逻辑类型: CMOS
最大关闭延迟时间: 600 ns
最大开启延迟时间: 600 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 175 uA
Pd-功率耗散: 1.3 W
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 900 ns
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: EiceDRIVER
零件号别名: 6ED2230S12T SP001656578
单位重量: 807.300 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能,如快速短路保护(DESAT)、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件,包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此,英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案,适用于任何电源开关和任何应用。

1200V电平移位栅极驱动器

英飞凌工业驱动用1200V电平转换栅极驱动器包含三相、半桥以及高侧和低侧驱动器,用于驱动IGBT或MOSFET。6ED2230S12T 3相1200V SOI驱动器集成有自举二极管(BSD)和过流保护,采用英飞凌独特的绝缘体上硅(SOI)电平转换技术。 6ED2230S12T提供功能隔离,具有业界领先的负VS稳健性。此外,该器件还通过集成自举二极管来减少电平转换损耗,从而降低物料成本,缩小PCB占用空间。

6ED223xS12T EiceDRIVER™栅极驱动器IC

英飞凌科技6ED223xS12T EiceDRIVER™电平移位栅极驱动器IC一款高压(高达1200V)、高速绝缘栅极双极晶体管 (IGBT),具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道,用于三相应用。 采用专有的防闩锁 CMOS技术,实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或TTL输出兼容,低至3.3V逻辑。该电阻器还具有过流保护 (OCP) 功能,可端接所有六个输出。