F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Infineon Technologies
726-F3L8MR12W2M1HPB1
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

制造商：

说明：
MOSFET模块 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1详情

库存量: 25

库存：
25 可立即发货
生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥896.8923 ¥896.89
¥818.6398 ¥8,186.40
¥818.5607 ¥88,404.56
1,008 报价

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
Si
SMD/SMT
- 40 C
+ 150 C
M1H
Tray
商标: Infineon Technologies
配置: 3-Phase Inverter
产品: SiC IGBT Modules
产品类型: MOSFET Modules
工厂包装数量: 18
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EasyPACK CoolSiC
零件号别名: F3L8MR12W2M1HP_B11 SP005562921
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

1200V CoolSiC™ M1H模块

英飞凌1200V CoolSiC™ M1H模块为电动汽车 (EV) 充电和其他逆变器设计人员提供了机会，使他们能够实现前所未有的效率和功率密度水平。

适用于数据中心的可靠高效电源

英飞凌 面向数据中心的可靠高效电源是一套额定功率约在5 kW至50/60kW之间的可扩展解决方案。英飞凌的这一解决方案非常适合需要高功率密度和高能效的不间断电源(UPS)。这些模块采用多种芯片技术，例如Si IGBT、CoolSiC™ 混合和CoolSiC MOSFET，以满足各种高性价比和性能要求。英飞凌的产品组合涵盖了UPS系统所有级别的不同电压等级，并计划扩展产品范围，增加低功率等级的产品。

1200V CoolSiC™模块

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。