FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Infineon Technologies
726-FF8MR12W1M1HB11B
FF8MR12W1M1HB11BPSA1

制造商:

说明:
分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

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库存量: 402

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Infineon
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
Half Bridge
Si
Tray
商标: Infineon Technologies
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
工厂包装数量: 24
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EasyDUAL
零件号别名: FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

适用于数据中心的可靠高效电源

英飞凌 面向数据中心的可靠高效电源是一套额定功率约在5 kW至50/60kW之间的可扩展解决方案。英飞凌的这一解决方案非常适合需要高功率密度和高能效的不间断电源(UPS)。这些模块采用多种芯片技术,例如Si IGBT、CoolSiC™ 混合和CoolSiC MOSFET,以满足各种高性价比和性能要求。英飞凌的产品组合涵盖了UPS系统所有级别的不同电压等级,并计划扩展产品范围,增加低功率等级的产品。

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英飞凌采用CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B IGBT模块具有非常低的杂散电感和出色的效率,因此频率更高、功率密度更高、冷却要求更低。这些1200V、8mΩ的半桥模块集成了NTC温度传感器和PressFIT触点技术。xHP_B11型号提供热界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推荐栅极驱动电压范围、+23V或-10V的最大栅极-源极电压以及17mΩ或33mΩ的漏极-源极导通电阻选项。集成式安装夹确保牢固的安装。