IGC025S08S1XTMA1

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IGC025S08S1XTMA1

制造商编号：

IGC025S08S1XTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

寿命周期:

受限供货情况:

Mouser当前不供应此零件编号的零件。产品可能为限量销售或工厂特别订单。

数据表:

IGC025S08S1XTMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	86 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	6.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.9 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	45 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolGaN
技术:	GaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	Transistors
产品类型:	GaN FETs
系列:	60 V - 120 V G3
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	P-Channel
类型:	CoolGaN
零件号别名:	IGC025S08S1 SP006027447

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IGC025S08S1XTMA1 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolGaN™ G3晶体管

英飞凌 CoolGaN™ G3晶体管设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。此系列晶体管的导通电阻极低，能够实现高效的功率转换，减少能量损耗。英飞凌CoolGaN G3晶体管提供四种电压选项（60V、80V、100V和120V），具备超快的开关速度和极低的栅极/输出电荷。此系列晶体管采用紧凑型PQFN封装，可增强热管理，支持双面冷却，即使在严苛条件下也能够确保可靠运行。这些特性使CoolGaN G3晶体管非常适合用于电信和数据中心电源以及工业电源系统等应用。