IQFH61N06NM5ATMA1

Infineon Technologies
726-IQFH61N06NM5ATMA
IQFH61N06NM5ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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供货情况

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在途量:
2,990
预期 2026/3/5
生产周期：
8
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥59.7996 ¥59.80
¥44.2508 ¥442.51
¥35.821 ¥3,582.10
¥31.8434 ¥15,921.70
¥30.849 ¥30,849.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥26.1369 ¥78,410.70

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
510 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
190 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 27 ns
正向跨导 - 最小值: 160 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 78 ns
系列: OptiMOS 5
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
零件号别名: IQFH61N06NM5 SP005634650
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 5功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。

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