BM2P10B1J-Z

ROHM Semiconductor
755-BM2P10B1J-Z
BM2P10B1J-Z

制造商：

说明：
交流/直流转换器 Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ROHM Semiconductor BM2P10B1J-Z详情

库存量: 3,998

库存：
3,998 可立即发货
生产周期：
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于3998的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.459 ¥27.46
¥20.7581 ¥207.58
¥13.7295 ¥343.24
¥12.9046 ¥1,290.46
¥10.509 ¥5,254.50
¥9.7632 ¥9,763.20
¥9.6728 ¥19,345.60
¥9.266 ¥37,064.00

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 交流/直流转换器
RoHS:  
Through Hole
DIP-7
35 W
8.9 V
26 V
Flyback
Si
100 kHz
90 %
900 uA
- 40 C
+ 105 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
开发套件: BM2P10B1J-EVK-001
绝缘: Isolated
输出端数量: 1 Output
产品: AC/DC Converters
产品类型: AC/DC Converters
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
类型: PWM Type DC/DC Converter IC
零件号别名: BM2P10B1J
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。

BM2P10xJ-Z PWM型DC/DC转换器IC

ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM型DC/DC转换器IC经过优化，适合要求高压容差和紧凑设计环境中的隔离式AC/DC电源应用。这些IC 集成了730V开关MOSFET，可直接由高压AC电源供电，非常适合用于家电、工业控制系统以及通用辅助电源。   ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z系列采用跳频PWM控制，可有效降低EMI，实现高效电源转换，且集成过流、过压、过载及过热关断等关键保护功能。  具有内置启动电路、软启动功能和低待机功耗，BM2P10xJ-Z系列可在空间受限的应用中实现简化、可靠和节能的电源设计。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。