RQ5L030ATTCL

ROHM Semiconductor
755-RQ5L030ATTCL
RQ5L030ATTCL

制造商：

说明：
MOSFET Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET

寿命周期:
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数据表:
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库存量: 2,400

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥7.0286 ¥7.03
¥4.3731 ¥43.73
¥2.8363 ¥283.63
¥2.1696 ¥1,084.80
¥1.9549 ¥1,954.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.6837 ¥5,051.10
¥1.5481 ¥9,288.60
¥1.4577 ¥13,119.30
¥1.356 ¥32,544.00

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOT-346T-3
P-Channel
1 Channel
60 V
3 A
99 mOhms
20 V
2.5 V
17.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 84 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RQxAT P沟道MOSFET

ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。 此系列P沟道MOSFET的栅源电压为 ±20V。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的最大漏源导通电阻分别为240mΩ 和99mΩ 。此系列P沟道MOSFET符合RoHS标准，且不含卤素。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的漏源电压分别为-80V和-60V。该系列P沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括开关和电机驱动器。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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