XPJ1R004PB,LXHQ

Toshiba
757-XPJ1R004PBLXHQ
XPJ1R004PB,LXHQ

制造商：

说明：
MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Toshiba XPJ1R004PB,LXHQ详情

库存量: 2,440

库存：
2,440 可立即发货
生产周期：
32 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥16.2155 ¥16.22
¥10.3395 ¥103.40
¥9.0965 ¥909.65
¥8.8479 ¥4,423.95
¥8.5993 ¥8,599.30
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.4411 ¥12,661.65
¥8.0004 ¥24,001.20

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽车级U-MOSIX-H功率MOSFET

Toshiba 汽车用U-MOSIX-H功率MOSFET是适用于汽车应用的40V N沟道功率MOSFET 这些器件采用小型、低电阻SOP Advance (WF) 封装。该系列器件 具有低导通电阻，可降低导通损耗。与Toshiba Electronic Devices和Storage Corporation’的上一个系列 (U-MOSIV) 相比，U-MOSIX-H系列还降低了开关噪声。

L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET

Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N沟道MOSFET具有超低导通电阻、高漏极电流额定值和高耗散能力。这是通过将高耗热封装[L-TOGL（大晶体管外形鸥翼型引线）和S-TOGL（小晶体管外形鸥翼型引线）]与U-MOS IX-H和U-MOS XH芯片工艺相结合实现的。Toshiba L-TOGL和S-TOGL MOSFET还具有大电流能力和高耗散能力，有助于提高各种汽车应用中的功率密度。L-TOGL软件包与现有的TO-220SM（W）软件包尺寸相同。然而，XPQR3004PB大大提高了电流额定值，并将导通电阻显著降低至0.23mΩ（典型值）。与相同尺寸的TO-220SM（W）封装相比，L-TOGL优化的占位面积也有助于改善散热特性。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。