XPJR6604PB,LXHQ

Toshiba
757-XPJR6604PBLXHQ
XPJR6604PB,LXHQ

制造商：

说明：
MOSFET 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

数据表:
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库存量: 3,360

库存：
3,360 可立即发货
生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥20.4304 ¥20.43
¥12.5769 ¥125.77
¥11.413 ¥1,141.30
¥11.3339 ¥5,666.95
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥9.6728 ¥14,509.20
¥9.5937 ¥86,343.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
530 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
128 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 54 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 42 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 152 ns
典型接通延迟时间: 73 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET

Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N沟道MOSFET具有超低导通电阻、高漏极电流额定值和高耗散能力。这是通过将高耗热封装[L-TOGL（大晶体管外形鸥翼型引线）和S-TOGL（小晶体管外形鸥翼型引线）]与U-MOS IX-H和U-MOS XH芯片工艺相结合实现的。Toshiba L-TOGL和S-TOGL MOSFET还具有大电流能力和高耗散能力，有助于提高各种汽车应用中的功率密度。L-TOGL软件包与现有的TO-220SM（W）软件包尺寸相同。然而，XPQR3004PB大大提高了电流额定值，并将导通电阻显著降低至0.23mΩ（典型值）。与相同尺寸的TO-220SM（W）封装相比，L-TOGL优化的占位面积也有助于改善散热特性。

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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