XPQ1R00AQB,LXHQ

Toshiba
757-XPQ1R00AQBLXHQ
XPQ1R00AQB,LXHQ

制造商：

说明：
MOSFET LTOGL 100V 300A

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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供货情况

库存：
0

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在途量:
2,270
预期 2026/2/20
生产周期：
24
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥41.358 ¥41.36
¥29.6964 ¥296.96
¥26.3064 ¥2,630.64
¥25.8092 ¥12,904.60
¥24.5662 ¥24,566.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥24.5662 ¥36,849.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
2-10AG1A
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.03 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
269 nC
- 55 C
+ 175 C
750 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 85 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 85 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 290 ns
典型接通延迟时间: 160 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET

Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N沟道MOSFET具有超低导通电阻、高漏极电流额定值和高耗散能力。这是通过将高耗热封装[L-TOGL（大晶体管外形鸥翼型引线）和S-TOGL（小晶体管外形鸥翼型引线）]与U-MOS IX-H和U-MOS XH芯片工艺相结合实现的。Toshiba L-TOGL和S-TOGL MOSFET还具有大电流能力和高耗散能力，有助于提高各种汽车应用中的功率密度。L-TOGL软件包与现有的TO-220SM（W）软件包尺寸相同。然而，XPQR3004PB大大提高了电流额定值，并将导通电阻显著降低至0.23mΩ（典型值）。与相同尺寸的TO-220SM（W）封装相比，L-TOGL优化的占位面积也有助于改善散热特性。

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