XPQR3004PB,LXHQ

Toshiba
757-XPQR3004PBLXHQ
XPQR3004PB,LXHQ

制造商：

说明：
MOSFET L-TOGL N-CH 40V 400A

数据表:
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库存量: 1,265

库存：
1,265
可立即发货
在途量:
16,500
预期 2026/2/20
生产周期：
14
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥56.50 ¥56.50
¥40.5331 ¥405.33
¥30.9394 ¥3,093.94
¥30.1032 ¥30,103.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥29.6173 ¥44,425.95
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
L-TOGL-9
N-Channel
1 Channel
40 V
400 A
470 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
295 nC
+ 175 C
750 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
下降时间: 130 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 65 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 395 ns
典型接通延迟时间: 120 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET

Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N沟道MOSFET具有超低导通电阻、高漏极电流额定值和高耗散能力。这是通过将高耗热封装[L-TOGL（大晶体管外形鸥翼型引线）和S-TOGL（小晶体管外形鸥翼型引线）]与U-MOS IX-H和U-MOS XH芯片工艺相结合实现的。Toshiba L-TOGL和S-TOGL MOSFET还具有大电流能力和高耗散能力，有助于提高各种汽车应用中的功率密度。L-TOGL软件包与现有的TO-220SM（W）软件包尺寸相同。然而，XPQR3004PB大大提高了电流额定值，并将导通电阻显著降低至0.23mΩ（典型值）。与相同尺寸的TO-220SM（W）封装相比，L-TOGL优化的占位面积也有助于改善散热特性。

XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET

Toshiba XPQR3004PB 40V MOSFET具有0.23mΩ（典型值）的RDS(ON)、400A能力，以及2V至3V的阈值电压（Vth）。其他功能包括+175°C最大工作温度和10µA最大漏电流（VDS = 40V）。Toshiba XPQR3004PB MOSFET采用L-TOGL封装，具有0.2°C/W的热阻抗和750W耗散功率。该设备经过AEC-Q101认证，非常适合汽车应用、开关电压稳压器、电机驱动器和DC-DC转换器。

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