XPQR8308QB,LXHQ

Toshiba
757-XPQR8308QBLXHQ
XPQR8308QB,LXHQ

制造商:

说明:
MOSFET L-TOGL N-CH 80V 350A

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
ECAD模型:
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库存量: 4,446

库存:
4,446 可立即发货
生产周期:
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥47.9798 ¥47.98
¥33.5045 ¥335.05
¥27.1313 ¥2,713.13
¥24.069 ¥12,034.50
¥20.679 ¥20,679.00
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥20.5999 ¥30,899.85
9,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
2-10AG1A
N-Channel
1 Channel
80 V
350 A
830 uOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
305 nC
- 55 C
+ 175 C
750 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 100 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 85 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 335 ns
典型接通延迟时间: 130 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET

Toshiba L-TOGL和S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N沟道MOSFET具有超低导通电阻、高漏极电流额定值和高耗散能力。这是通过将高耗热封装[L-TOGL(大晶体管外形鸥翼型引线)和S-TOGL(小晶体管外形鸥翼型引线)]与U-MOS IX-H和U-MOS XH芯片工艺相结合实现的。Toshiba L-TOGL和S-TOGL MOSFET还具有大电流能力和高耗散能力,有助于提高各种汽车应用中的功率密度。L-TOGL软件包与现有的TO-220SM(W)软件包尺寸相同。然而,XPQR3004PB大大提高了电流额定值,并将导通电阻显著降低至0.23mΩ(典型值)。与相同尺寸的TO-220SM(W)封装相比,L-TOGL优化的占位面积也有助于改善散热特性。